삼성전자가 차세대 HBM4E를 최초로 공개하며 반도체 시장에서의 주도권 탈환에 나서 눈길을 끈다. HBM4E는 HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리다.
삼성전자는 오는 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 글로벌 AI 리더십 강화를 위한 의지를 드러냈다. GTC는 엔비디아의 연례 최대 개발자 행사다.
이 회사는 이번 전시에서 ‘HBM4 히어로 월’을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있는데, 이번 전시에선 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개해 눈길을 끌었다. 삼성전자 관계자는 “HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정”이라고 설명했다.
또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.
삼성전자는 이번 GTC에서 엔비디아의 차세대 AI 칩 ‘베라 루빈’ 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치했다. 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성한 것이다. 차세대 HBM4E 기술력과 베라 루빈 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI 리더십을 한층 강화하겠다는 게 삼성전자의 목표다.
앞서 삼성전자는 지난달 12일 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 HBM 시장에서의 반격을 알린 바 있다. 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다. KB증권은 “엔비디아향 프리미엄 HBM4 출하 본격화가 실적 개선에 긍정적 요인으로 작용할 전망”이라고 진단했다.
오현승 기자 hsoh@segye.com
